南韓記憶體晶片巨頭SK海力士傳出正為位於中國西南部嘅重慶封裝測試廠評估出路，方案包括引入外部投資者出售股權。彭博8月7日引述知情人士報道，公司正接觸潛在顧問檢視業務，交易一旦落實，廠房估值約30億美元（約234億港元），惟磋商仍處初步階段，未必一定成事。SK海力士本週一（8月10日）回覆查詢時表示，正研究多種方案以提升封裝業務競爭力，強調暫未有任何最終決定，並承諾一個月內或落實細節時再作公告。

重慶廠2013年成立、翌年投產，係SK海力士NAND快閃記憶體後段封裝測試嘅核心基地；公司進軍中國市場已超過20年，喺無錫同大連另設兩座前段晶圓廠，分別生產DRAM同NAND產品，其中大連廠購自Intel。據報潛在買家包括中國基金同業內企業，SK海力士即使引入新股東，亦可能保留少數股權。

分析普遍視今次部署為資本大挪移。中國半導體研究機構ICWise分析員Diana Wang指，高頻寬記憶體（HBM）嘅盈利增長前景遠勝標準NAND快閃記憶體；半導體資訊平台eetrend.com創辦人張國斌就形容，呢一步係由低附加值後段組裝，轉向高毛利前段製造嘅策略轉移。簡單啲講，就係將資金由賺頭有限嘅舊業務，搬去最當炒嘅AI賽道。

事實上，重慶廠消息曝光同日，SK海力士董事會通過喺南韓本土投資逾54萬億韓圜（約3,030億港元），興建龍仁DRAM新廠同清州NAND廠，迎接AI時代嘅記憶體需求。公司上月底公布嘅第二季業績破紀錄：經營利潤按年急升逾五倍至60.5萬億韓圜，利潤率高達76%，上半年收入更首次衝破100萬億韓圜大關；新一代HBM4已開始量產出貨，SK海力士現時係Nvidia AI晶片嘅主要HBM供應商。

地緣政治因素同樣關鍵。美國去年9月宣布撤銷三星同SK海力士中國廠房嘅「認證最終用戶」（VEU）豁免，2025年12月31日生效，其後改行年度審批制；華府表明會批出許可證維持現有廠房運作，但唔會放行用於擴產或技術升級嘅設備，令在華資產長遠面對技術封頂。不過分析人士提醒，交易仍要闖過估值談判同晶片週期波動兩關；而重慶、無錫、大連三廠功能各異，有業界人士認為，將今次評估解讀為全面撤出中國，恐怕言之尚早。