全球記憶體晶片供應持續緊張之際，美國銀行（Bank of America）最新發表嘅全球記憶體周報潑咗一盤冷水：南韓記憶體巨頭SK海力士（SK Hynix）到2028年實際新增嘅產能，可能只係最初規劃嘅六分之一，外界對「新產能大量開出」嘅憧憬恐怕過分樂觀，南韓政府「2030年產能翻倍」嘅目標亦備受質疑。

南韓總統李在明一直力推2030年前將全國記憶體產能增加一倍，並以三星（Samsung）同SK海力士喺西南部光州及全羅地區興建嘅超大型晶圓廠作為關鍵支柱，據報兩大廠合共投資達800兆韓圜，折合約5,186億美元（約4萬億港元）。不過美銀分析指，扣除舊廠因製程升級同微縮而陸續關停嘅產能後，南韓每年實際淨增嘅記憶體晶圓運作產能不足一成；光州同全羅新廠單係地基基建已需約五年，其後仲要三至四年建置無塵室同安裝晶片製造設備，整個製造生態鏈起碼十年先至成形，換言之2028年前難有大規模新產能落地。

報告出爐時機相當敏感。三星、SK海力士同美光（Micron）上月25日喺美國加州北區聯邦法院被入稟集體訴訟，17名原告指控三巨頭利用合共約九成DRAM市場份額嘅寡頭地位，以轉型高頻寬記憶體（HBM）為藉口，協同削減DDR3、DDR4等傳統記憶體產量，令DRAM價格四年內暴漲約七倍，並要求三倍賠償。有分析認為，美銀報告變相削弱廠商「已全速擴產」嘅抗辯理據；SK海力士2005年亦曾因操縱DRAM價格認罪，罰款1.85億美元（約14.4億港元）。

諷刺嘅係，SK海力士本月10日先至喺納斯達克掛牌，集資265億美元（約2,067億港元），創外國企業赴美上市最大規模紀錄，並表明資金用於擴充AI記憶體產能。行政總裁郭魯正接受訪問時直言，2027年會係行業史上供應最差嘅一年，預期需求高於供應嘅局面會延續到2030年之後。投行富瑞（Jefferies）則估計，DRAM價格第三季再升四至五成、第四季續升三至四成，2028年前難言紓緩，全球消費者同下游廠商，恐怕仲有排捱貴價記憶體。