南韓記憶體雙雄三星電子同SK海力士正加碼中國境內嘅NAND快閃記憶體產能，目標2027年前後完成新一輪擴充。喺美國出口管制陰霾未散之際，呢輪投資反映AI伺服器同企業級SSD需求爆發，令中國生產基地嘅戰略地位不跌反升。

三星西安廠X2產線自今年上半年起展開第九代V9 NAND轉型投資，業界普遍指V9採用約286層堆疊技術，屬三星現役最高階量產世代；據南韓媒體報道，轉型完成後西安廠可確保每月4萬至5萬片晶圓嘅V9產能，相關投資料今年內到位，2027年全面量產。西安廠佔三星全球NAND產出約四成，公司2025年對當地嘅股權投資按年急增68%至4,654億韓圜（約26億港元）。另據業界消息，三星擬2027年下半年起追加補強投資，重點引入NAND製造最關鍵嘅蝕刻設備，3D NAND要將儲存單元向上堆疊數百層，必須喺晶圓精準蝕出極深嘅通道孔，蝕刻精度直接左右良率，相關設備訂單料2027年底前明朗。

SK海力士方面，大連基地係公司2021年完成收購 Intel NAND業務時接手，二廠2022年動土後因市況低迷停咗接近四年，今年上半年復工，據報下半年起分階段裝機，新線料以238層V8世代產品為主。韓媒對新產線規模講法不一，介乎每月3萬至6萬片晶圓之間；核心設備最快11月前陸續進廠，目標2027年上半年投產，屆時大連整體月產能可望由10萬片增至約15萬片，增幅達五成。大連現時佔SK海力士整體NAND產出約三成，公司2025年對無錫、大連兩廠投資合共逾1萬億韓圜（約56億港元），有高層更明言中國佔比大致不變、無意縮減當地業務。

需求係今次擴產嘅最大推手。TrendForce數據顯示，全球五大NAND廠首季收入按季急升83.7%至逾389億美元（約3,034億港元），三星市佔率由28%升至31.6%；有南韓傳媒更指，傳統DRAM同NAND價格升幅甚至拋離HBM。不過地緣風險始終係最大變數：美國2025年撤銷咗兩公司中國廠房嘅「經驗證最終用戶」（VEU）資格，改為按年審批設備出口許可，2026年度許可已獲批，惟有報道指許可主要涵蓋維持營運所需，先進升級空間仍受掣肘。有報導指兩公司曾測試中國中微公司（AMEC）嘅蝕刻設備作後備方案，惟雙方均否認有違規測試。三星7月喺業績電話會議亦坦言，2028年前晶圓產能難有顯著增長，喺呢段供應真空期，中國廠房嘅角色只會愈嚟愈吃重。