侵侵再增晶片稅添回流        SK美首座HBM封裝廠同日動工
侵侵再增晶片稅添回流 SK美首座HBM封裝廠同日動工

美國特朗普政府正研究推出第二輪半導體關稅,課稅範圍可能由晶片本身,擴大至手提電腦、遊戲機以至數據中心伺服器等載有晶片嘅產品;同一日,南韓記憶體晶片大廠SK海力士就喺印第安納州,為美國首座高頻寬記憶體(HBM)先進封裝生產基地舉行動土禮。一邊揮動關稅大棒,一邊見證外資廠房落地,反映華府推動晶片製造回流嘅攻勢正全面加辣。

 

商務部長盧特尼克傾向設立免稅進口配額,企業可免稅輸入嘅晶片數量,將同佢哋承諾喺美國生產嘅規模掛鉤。特朗普今年1月14日引用《貿易擴張法》第232條簽署公告,對 Nvidia H200、AMD MI325X等先進運算晶片開徵25%關稅,當時豁免咗美國數據中心、研發、初創企業及維修等用途;但據報商務部官員喺閉門磋商中透露,呢批豁免未必會延續。新關稅或設過渡期,方案細節未來數星期仍可能大改。

 

科技業界隨即加緊遊說,警告數據中心一旦失去豁免,將難以採購AI熱潮所需嘅大量晶片,基建成本勢必上升。業界人士指出,台灣生產全球逾九成最尖端晶片,台積電雖已承諾喺亞利桑那州投資2,650億美元(約2.07萬億港元),係美國史上最大外來直接投資,但全面建成後其最先進產能都只有約三成設喺美國,同本土產量掛鉤嘅配額,根本追唔上超大規模數據中心商嘅採購量。代表亞馬遜、Google等企業嘅行業組織更形容,數據中心擴建猶如當年興建橫貫大陸鐵路,額外成本同不確定性只會令投資卻步。白宮就回應指,半導體製造回流係特朗普嘅首要任務,相關政策已為呢個關鍵行業帶來數以千億美元計投資。

 

另一邊廂,SK海力士美國時間周四,聯同印第安納州州長布勞恩(Mike Braun)等政界人物,喺西拉法葉普渡大學(Purdue University)為總投資超過40億美元(約312億港元)嘅先進封裝廠正式奠基,項目獲《晶片法案》最多4.58億美元資助及5億美元貸款(合共約74.7億港元)。工程其實今年4月已經開展,計劃2028年10月完成無塵室、2029年下半年量產新一代HBM,全面投產後聘用約1,000人,連同供應鏈料創造約7,000個直接及間接職位,現時逾100間材料、零件及設備商正洽談進駐。行政總裁郭魯正表示,到2030年印第安納將成為美國重要嘅HBM生產基地;廠房將接收南韓製造嘅晶圓,喺當地堆疊封裝成HBM後供應美國客戶,公司並同普渡大學簽署合作備忘錄,共同研發下一代HBM技術。

 

市場方面,Nvidia業績勝預期帶動美股周四向上,標普500指數升0.72%,納指升1.57%;不過首爾股市周五低開近1%,三星電子同SK海力士早段分別跌約1.5%同1.8%,關稅陰霾下晶片板塊繼續受壓。

發佈時間: 2026年08月28日 18:01
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