中國最大DRAM製造商長鑫存儲即將登陸上海科創板，不過據專家分析其招股文件，是次集資嘅295億元人民幣（約323億港元）將全數投向通用DRAM產線升級同次世代DRAM研發，全份文件隻字未提高頻寬記憶體（HBM）嘅設備投資，市場一度盛傳嘅「中國HBM攻勢」，至少喺今輪大規模投資中未有現身，令三星電子、SK海力士同美光三大原廠暫時鬆一口氣。

上市主體長鑫科技5月底通過上交所上市委審議，由受理到過會僅需148日，集資規模僅次於中芯國際，係科創板開板以來第二大IPO，市場預期本月正式掛牌，市值隨時衝上萬億甚至兩萬億人民幣水平。公司受惠記憶體超級週期，今年首季收入達508億人民幣（約556億港元），純利247.6億人民幣（約271億港元），成功扭虧為盈。

自2025年下半年起，市場不斷傳出長鑫部署HBM封裝設備，據報已向華為等境內客戶交付16納米製程嘅HBM3樣品，位於上海嘅HBM後段封裝廠亦預計今年底投產，早前韓媒更一度盛傳長鑫擬將約兩成DRAM產能轉投HBM，月產能上看6萬片。不過從招股書睇，實況保守得多：據市場估計，2025年底長鑫每月約26.5萬片總產能之中，分配畀HBM嘅僅約5,000片，佔比不足2%，預計到2026年底同2027年底先分別增至3萬片同5.5萬片；2025年公司99%收入依然來自個人電腦同手機等通用DRAM。技術上，有市場人士推測其HBM3八層堆疊產品綜合良率僅約25%，以現時水平難以出貨畀中國以外客戶；招股書列出嘅阿里雲、騰訊、字節跳動、聯想、小米等主要客戶，全部屬通用DRAM同DDR5訂單，並無註明HBM合約。

報道分析，長鑫唔敢喺招股書明刀明槍押注HBM，一來係矽穿孔（TSV）堆疊等核心製程門檻極高，美國出口管制又令先進設備難以到手；二來公司正受美國國防部同商務部牽制，若白紙黑字列明投資AI加速器用HBM，隨時變成華府加碼制裁嘅把柄。不過亦有意見認為，長鑫大可透過大基金、地方政府資金等IPO以外渠道為HBM「另闢財路」，並非放棄呢條戰線；有熟悉中國半導體市場人士預測，2027至2028年或成轉捩點，屆時HBM產能可能較現時擴大逾十倍。

值得留意係，長鑫喺通用DRAM攻勢凌厲，據Counterpoint統計，其全球市佔率一年間由3%急升至8%，平均售價據報只較三大廠低約5%至10%，早前更獲騰訊簽下逾200億人民幣（約220億港元）長期供貨合約，連蘋果都據報正尋求採購其晶片。相反，SK海力士周五（10日）將於納斯達克掛牌，集資最多296億美元（約2,310億港元），全數投入HBM同下一代AI記憶體產能。呢場記憶體大戰，只係未打到最貴嗰個戰場。