面對美國喺半導體技術上嘅步步進逼，中國科學家再次交出一張令世界驚訝嘅成績單。就在美國試圖用「實體清單」同出口管制卡住中國晶片發展嘅時候，中國科學院新疆理化技術研究所宣佈，成功研發出一種名為「氟硼氧酸銨」（Ammonium Fluorooxoborate，簡稱 ABF）嘅新型非線性光學晶體。呢項成果唔單止登上咗國際頂級期刊《自然》（Nature），更加被視為繼 KBBF 晶體之後，中國喺激光領域嘅又一次「核彈級」突破。

要理解呢個突破嘅因難，首先要明白目前晶片製造嘅痛點。現時高端晶片光刻機（例如 ASML 嘅 DUV 機）主要用緊嘅係氬氟（ArF）準分子激光器。呢類激光器雖然做到 193nm 嘅深紫外光（DUV），但體積巨大、結構複雜、維護成本極高，仲要用到有毒氣體。

而潘世烈（Pan Shilie）教授帶領嘅團隊研發出嘅 ABF 晶體，就係為咗解決呢個問題。佢可以直接將激光波長「變頻」到 158.9nm。呢個數字非常有意義，因為佢突破咗傳統光學晶體嘅極限（通常卡喺 200nm 左右）。換句話講，利用 ABF 晶體，未來嘅深紫外激光器可以由「巨型機器」變成細細部嘅「全固態激光器」（Solid-state laser），壽命更長、成本更低、更穩定。

其實中國喺激光晶體領域一直都有進行研究。早喺90年代，中國就研發出 KBBF 晶體，當時係全球唯一可以直接產生深紫外激光嘅材料，美國甚至曾經因為買唔到中國嘅 KBBF 而令科研受阻。不過，KBBF 有個致命傷，就係含有劇毒嘅鈹（Beryllium），而且生長非常困難，主要係層狀結構，好難切得厚。

今次嘅 ABF 晶體就完美解決咗KBBF 晶體嘅缺點。根據《自然》期刊嘅數據，ABF 唔含劇毒嘅鈹，原料成本更低，而且生長出嚟嘅晶體夠厚、夠大（可以去到厘米級）。喺實驗室測試入面，ABF 晶體展現出極高嘅光學效率，喺 177.3nm 波長下，脈衝能量達到 4.8mJ，係目前同類全固態激光器嘅最強紀錄。

雖然話要馬上用 ABF 取代光刻機入面幾十瓦功率嘅巨型光源仲言之尚早，但呢個技術喺「晶片檢測」同「精密加工」領域已經可以大顯身手。現時半導體檢測設備（用嚟檢查晶片有冇瑕疵）極度依賴深紫外光源，ABF 令到製造更平、更精準嘅檢測儀器成為可能。

有業內專家分析，中國掌握咗呢種核心材料，等於掌握咗下一代精密光學儀器嘅「鑰匙」。假如未來能夠將 ABF 應用喺光刻機光源系統，咁就唔止係打破封鎖咁簡單，而係有機會喺技術路線上實現「超車」。

美國嘅打壓無疑係想令中國科技窒息，但客觀效果反而逼出咗中國科學家嘅「內功」。由 KBBF 到今日嘅 ABF，中國喺晶體材料領域嘅護城河越挖越深。當西方國家仲諗緊點樣限制高端設備出口嗰陣，中國已經喺最基礎嘅材料物理上搵到新路向。呢場晶片戰爭，睇嚟仲有排打。