隨著全球人工智能算力需求爆發式增長，晶片龍頭 Nvidia 正準備再次推高全球記憶體供應鏈嘅技術天花板。根據最新產業消息指出，Nvidia已經正式向主要合作夥伴發出需求評估，探討最早喺 2026 年第四季交付 16 層堆疊高頻寬記憶體（HBM）嘅可行性。呢個激進嘅技術時程表唔單止迫使三星電子、SK 海力士同埋美光加速研發，更加提前開啟咗下一代 AI 晶片核心零件嘅戰略爭奪戰。

目前市場嘅技術焦點主要仲係集中喺 12 層堆疊 HBM4 嘅認證同量產準備，預計呢款產品會喺 2026 年初進入全面商業化階段。然而，Nvidia顯然唔滿足於現狀，近期已經開始密集詢問更高等級產品嘅開發進度。雖然雙方仲未簽署正式合約，但呢個舉動已經引發供應商內部開發時程嘅大幅調整，包括對良率目標同初始產量嘅重新規劃，部分供應商甚至預計最快會喺 2026 年第三季前展開相關效能評估。根據目前嘅規格定義，呢款 16 層堆疊產品可能被歸類為 HBM4 世代，或者係進化版嘅 HBM4E 範疇。

韓國半導體工業協會執行副總裁、前 SK 海力士高層分析指出，Nvidia 對GPU嘅升級節奏極其積極，呢點迫使 HBM 必須保持同步。如果記憶體效能跟唔上，就算係更強大嘅處理核心都會失去意義。然而，由 12 層推進到 16 層嘅門檻遠高於以往，呢點唔單止係層數嘅增加，更加係半導體封裝技術嘅代際飛躍。要喺極限空間入面塞入更多晶片，晶圓厚度必須由目前嘅 50 微米進一步壓縮到大約 30 微米，而且要符合全球半導體標準組織（JEDEC）規定嘅 775 微米封裝高度上限。

面對物理限制，封裝鍵合（Bonding）技術成為咗競爭嘅核心。三星電子正考慮喺 16 層產品入面導入尖端嘅「混合鍵合」（Hybrid Bonding）技術，試圖藉此喺黏合劑技術嘅競爭入面實現「彎道超車」，而且近期喺Nvidia嘅系統封裝（SiP）測試入面已經獲得正面回饋。相比之下，產業領導者 SK 海力士就採取更穩健嘅策略，雖然將混合鍵合當成備案，但重點仍然放喺延長佢哋領先業界嘅「批量回流模製底填」（MR-MUF）技術壽命，目前已經開始向Nvidia提供有償樣品。美光方面就同三星一樣依賴「熱壓鍵合」技術，正奮力喺 16 層競賽入面維持競爭地位。

呢場技術競賽嘅關鍵時間點會同 Nvidia 下一代 Rubin 架構晶片嘅發表緊密結合。預計喺 2026 年下半年問世嘅 Rubin 晶片，每粒會配備多達 8 個 HBM4 堆疊，將會極大化拉動對高層數記憶體嘅需求。儘管 16 層 HBM4 充滿前景，但市場分析師提醒，短期內主流地位仍然由 HBM3E 佔據，預計 2026 年佢嘅產量佔比雖然由 87% 跌到 66%，但依然係市場最穩定而且獲利嘅核心來源。