隨住人工智能（AI）技術迅速發展，全球對高效能記憶體嘅需求急劇上升，特別係高頻寬記憶體（HBM）同 DDR5 等產品，已經成為 AI 伺服器同高效能運算系統嘅核心元件。韓國兩大記憶體龍頭，三星電子同 SK 海力士，正全面加速擴大產能，以應對愈演愈烈嘅「記憶體荒」，同時鞏固佢哋喺全球市場嘅領先地位。業界分析認為，呢一波由 AI 推動嘅記憶體超級週期，將持續令產業競爭升溫。

AI 時代嘅到來，令記憶體市場出現結構性轉變。以往 DRAM 主要用喺個人電腦、智能手機同消費電子產品，但而家 AI 伺服器對 HBM 嘅需求出現爆炸式增長。HBM 透過垂直堆疊技術，提供極高頻寬同較低功耗，成為輝達、AMD 等 AI 晶片大廠嘅首選。根據最新市場數據，2025 年第三季全球 DRAM 市場規模按季增長 26%，主要受 AI 訓練同推論平台需求拉動。SK 海力士憑住喺 HBM 領域嘅先發優勢，已連續多季成為全球 DRAM 營收龍頭，而三星電子亦正加緊步伐，積極縮細技術差距。

三星電子正全面提升 DRAM 同 NAND 快閃記憶體產能，並將重點放喺高階產品線。公司已逐步將資源轉向 DDR5 同 HBM 生產，以優先滿足 AI 客戶需求。為進一步擴大規模，三星已恢復平澤廠區第五條生產線（P5）嘅建設工作，預計 2028 年開始商業運作。呢條生產線將成為三星未來 AI 記憶體擴張嘅重要基地。此外，三星喺 HBM4 開發方面亦取得進展，已開始向客戶提供付費樣品，並同輝達等大廠保持密切合作，目標喺 2026 年大幅提升供應份額。業界預期，三星 2026 年營業利益有望顯著增長，部分受惠於標準型 DRAM 價格上升同產品組合優化。

另一邊廂，SK 海力士作為 HBM 市場嘅領導者，正加快新廠建設步伐，以鞏固現有優勢。公司準備啟動位於清州嘅 M15X 新製造廠，該廠專注生產 DRAM 同 AI 記憶體產品，將大幅提升下一代 HBM 產能。SK 海力士同時推動龍仁半導體集群第一座製造廠提早完工，該集群規模龐大，單一工廠產能相當於多座 M15X 工廠，原定 2027 年完成，但公司正爭取提前投入營運。SK 海力士已確認 HBM4 量產系統就緒，並率先向客戶提供付費樣品，預計 2026 年供應量將顯著增加。公司亦表示，2025 年嘅 HBM 產能已幾乎全數售罄，反映市場需求極為強勁。

兩大廠商嘅擴產策略雖然有所不同，但核心方向同樣圍繞 AI 需求。三星電子傾向喺 HBM 同標準型 DRAM 之間取得平衡，透過現有平澤廠區最大化產出；SK 海力士則更集中火力發展 HBM，透過新廠快速提升供應能力。隨住供應商將產能轉向高利潤嘅 HBM 同 DDR5，低利潤嘅消費級產品線相對被削減，令整體記憶體價格壓力持續上升。分析師指出，呢一波價格上行趨勢有機會延續至 2026 至 2027 年，短期內供應緊張局面難以緩解。

全球 DRAM 市場前景被普遍看好。受 AI 基礎設施投資推動，數據中心建設加速，進一步帶動 HBM 同企業級 DDR5 嘅需求。輝達同 AMD 嘅高效能運算系統，對 HBM 嘅需求尤其強烈。同時，標準型 DRAM 供應短缺，亦推高 DDR5 等產品價格，令記憶體廠商嘅獲利結構出現變化。部分市場預測指出，2026 年標準型 DRAM 嘅獲利率可能短暫超越 HBM，促使廠商重新調整投資優先次序。

作為全球記憶體產業重鎮，三星電子同 SK 海力士嘅擴產行動，不單止回應全球記憶體短缺問題，亦進一步突顯韓國喺 AI 半導體供應鏈中嘅關鍵地位。業界人士認為，呢場競爭將直接影響未來 AI 時代嘅記憶體霸主誰屬，而兩大廠商嘅巨額投資，勢將對產業帶來長遠而深刻嘅影響。隨住 2026 年 HBM4 同新一代產品陸續量產，記憶體市場有望進入新一輪高速成長階段，投資者同下游廠商需密切留意供應鏈動向。