中國正秘密推進極紫外（EUV）光刻機嘅自主研發。據多名知情人士透露，深圳一處高度戒備嘅實驗室內，中國科研人員已於2025年初完成一台EUV光刻機原型機嘅組裝，目前正進入測試階段。雖然呢部設備仍未能製造出可實際使用嘅晶片，但已成功產生極紫外光，被視為中國半導體自主化道路上一個關鍵突破，亦顯示相關進展可能比外界原先估計更快。

目前全球只有荷蘭ASML掌握成熟嘅EUV光刻技術。相關設備係生產最先進晶片不可或缺嘅核心工具，廣泛用於製造Nvidia、AMD等公司設計嘅高階晶片，台積電、Intel同三星等主要晶圓代工廠均高度依賴。EUV光刻機透過極短波長嘅光束喺矽晶圓上蝕刻極細電路，長期被視為美中科技競爭中最關鍵、亦最受管制嘅技術領域之一。美國多年來透過出口管制，禁止阿斯麥向中國出售相關設備。

知情人士指，呢台原型機由一支具備深厚背景嘅工程團隊主導，核心成員包括多名前阿斯麥工程師，他哋對阿斯麥EUV系統進行逆向工程。團隊中有人近期退休，亦有華裔科學家曾長期喺荷蘭工作。自2020年起，中國科技企業已積極接觸當地阿斯麥華裔員工，開出高額簽約獎金同住房補貼，嘗試吸納相關人才。

整個項目高度保密，被部分內部人士形容為中國版嘅「曼哈頓計畫」。實驗室內，新入職人員會獲發假身份證件，用以掩飾真實身份；即使係資深工程師進入設施後，亦發現多名舊同事同樣以假名工作。項目指令明確列明，基於國家安全考慮，任何人不得透露設備研發細節，甚至不得對外提及實驗室位置。

為繞過出口管制，研發團隊透過二手市場同中介公司，購入舊款阿斯麥設備嘅零部件，包括深紫外（DUV）系統及部分與EUV相關嘅組件，亦有零件來自日本Nikon同Canon等供應商。同時，約一百名應屆大學畢業生被安排專責拆解、分析同複製零件，相關工作間設有攝錄鏡頭作全天候監察。

華為喺整個項目中扮演重要協調角色，負責連結國內多間企業同國家科研機構，涉及工程師人數以千計。長春光機所等研究單位負責光學系統整合，並已於2025年初成功將極紫外光源接入原型機。由前阿斯麥光源技術負責人林楠（Lin Nan）領導嘅上海團隊，喺過去一年半內已申請多項與EUV光源相關嘅專利。

阿斯麥行政總裁今年4月曾表示，中國要完全掌握EUV技術仍需「好多好多年」。不過，呢台原型機嘅存在，令部分業界人士認為實際進展或已超出原先預期。中國官方目標係於2028年利用原型機生產可用晶片，但有知情人士私下評估，2030年可能較為現實。

荷蘭情報部門今年4月發表報告，警告中國正透過多種方式招募西方科學家同高科技人才，以取得先進技術。阿斯麥方面則回應指，公司一直嚴密保護商業機密，暫未確認會否就涉事前員工採取法律行動。